半导体Ct设备是干什么的，数字电子技术是门什么学科

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本文目录

1. 数字电子技术是门什么学科
2. 高压开关的局放是干什么用的
3. 谁能介绍半导体二极管参数符号 CT- Cj的意思

一、数字电子技术是门什么学科

《数字电子技术》这门课程属于专业基础课，在电子信息工程专业的知识体系中占有重要的地位。

数字电子技术主要研究各种逻辑门电路、集成器件的功能及其应用，逻辑门电路组合和时序电路的分析和设计、集成芯片各脚功能。

随着电子信息产业的快速发展，对应用电子技术专业人才的需求不断增加，这些年来，依托院校、科研院所和企业培养了一批应用电子技术专业人才，但与我国信息产业发展需求相比，仍有很大缺口。在当今社会中，职场相互竞争残忍，没有一种技能，没有学历证书，就算你说破天没用，证书就像敲门砖，是畅行无阻在职场遨游的钥匙，也是和你的薪资息息相关，也是价值体现的基石。

扩展资料：

数字系统广泛应用于通信、计算机、自动控制、互联网、物联网等领域，数字系统与我们的日常生活也密切相关，例如，智能手机、数字电视、数码相机、医用心电图仪、CT仪器设备等都是数字技术的应用实例。

现代的数字电路由半导体工艺制成的若干数字集成器件构造而成。逻辑门是数字逻辑电路的基本单元。存储器是用来存储二进制数据的数字电路。从整体上看，数字电路可以分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。

参考资料来源：

百度百科-数字电子技术

二、高压开关的局放是干什么用的

高压开关的局放是干什么用的

什么是局部放电

局部放电(局放)是由高中压早期绝缘故障产生的，目前被广泛的认为是绝缘程度下降的最好的早期标志，为绝缘失败提供预警。这使得中高压电站厂商有机会为防止绝缘失败而引起灾难性故障或爆炸事故的发生而采取改正性或预防性措施。局放行为会逐渐地损害高中压电缆及设备的绝缘介质，并最终导致绝缘失败。

局部放电活动会导致中高压设备绝缘状况的恶化，如果不进行检测或维护会造成设备故障的发生。很多情况下事故发生在切换操作后，这给操作人员的人身安全带了很大的隐患。局部放电(局放)是由高中压早期绝缘故障产生的，目前被广泛的认为是绝缘程度下降的最好的早期标志，为绝缘失败提供预警。这使得中高压电站厂商有机会为防止绝缘失败而引起灾难性故障或爆炸事故的发生而采取改正性或预防性措施。局放行为会逐渐地损害高中压电缆及设备的绝缘介质，并最终导致绝缘失败。目前对中压开关柜类设备进行的日常巡检主要还是判断有无异常的声音和气味，以及对设备的外观状况的观察。很主观也不科学，对设备的运行状态和绝缘状况不能做出及时准确的评估。所以使用准确可靠的局部放电检测仪器进行中高压开关的状态诊断和评估是很重要的，这类仪器在欧美等发达国家已经应用了很多年，国内在近几年也得到了越来越多的应用和发展。

便携式及在线监测产品，是全球首款融合三种测试技术:超声波，高频CT,以及TEV测试技术的产品，设备操做简单，轻便小巧。可便捷快速对开关柜及电缆等电器设备进行在线监测确定局放量及位置。局部放电原理及电磁放电(TEV)的优点和应用局部放电是指电气设备绝缘结构中某个区域内出现的放电现象，这种放电只是绝缘结构在该区域内被破坏，主绝缘并未发生贯穿性击穿，但若局部放电长期存在，在一定条件下可造成设备主绝缘电气强度的下降和损坏。绝缘结构中若存在局部电场较高(场强分布不均)，或制造工艺不完善、运行中绝缘有机物分解、固体绝缘受机械力作用发生开裂等原因形成缺陷，运行中的这些部位就容易出现绝缘击穿、发生局部放电。此外在金属导体(或半导体)电极的尖锐边缘处，或具有不同特性的绝缘层间，也是局部放电容易发生的部位。局部放电虽然只是绝缘局部发生击穿，但每次放电对绝缘都会有轻微损伤。

造成损伤的原因有：介质局部温度上升，氧化加速，使介质的电器、机械性能下降;带电粒子撞击介质，切断分子结构;放电作用下产生的活性气体与介质发生化学反应，使介质性能变坏。为保证电气设备在运行中的可靠性，不允许在其绝缘中有局部放电，或只允许有轻微的局部放电。局部放电属于不会使电极完全短接起来的电气放电。这种放电的幅值通常都很小。但它可以致使绝缘层性能不断地下降，并导致最终的故障发生。非侵入式局部放电检测提供了既快速又简单的方法，用于识别可能会引起停电或造成人员伤害的潜在绝缘故障。局部放电会以下述的方式放射能量：电磁能量：无线电波、光、热。声能：声波、超声波。气体：臭氧、氮氧化物。非侵入式局部放电检测最实用的技术就是基于检测电磁频谱中的无线电频率部分以及超声波发射信号。

三、谁能介绍半导体二极管参数符号 CT- Cj的意思

半导体二极管参数符号

CT-势垒电容

Cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv-偏压结电容

Co-零偏压电容

Cjo-零偏压结电容

Cjo/Cjn-结电容变化

Cs-管壳电容或封装电容

Ct-总电容

CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC-电容温度系数

Cvn-标称电容

IF-正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF（AV）-正向平均电流

IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH-恒定电流、维持电流。

Ii-发光二极管起辉电流

IFRM-正向重复峰值电流

IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）

Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF(ov)-正向过载电流

IL-光电流或稳流二极管极限电流

ID-暗电流

IB2-单结晶体管中的基极调制电流

IEM-发射极峰值电流

IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM-最大输出平均电流

IFMP-正向脉冲电流

IP-峰点电流

IV-谷点电流

IGT-晶闸管控制极触发电流

IGD-晶闸管控制极不触发电流

IGFM-控制极正向峰值电流

IR（AV）-反向平均电流

IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM-反向峰值电流

IRR-晶闸管反向重复平均电流

IDR-晶闸管断态平均重复电流

IRRM-反向重复峰值电流

IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）

Irp-反向恢复电流

Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流

Izk-稳压管膝点电流

IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

IZSM-稳压二极管浪涌电流

IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

iF-正向总瞬时电流

iR-反向总瞬时电流

ir-反向恢复电流

Iop-工作电流

Is-稳流二极管稳定电流

f-频率

n-电容变化指数；电容比

Q-优值（品质因素）

δvz-稳压管电压漂移

di/dt-通态电流临界上升率

dv/dt-通态电压临界上升率

PB-承受脉冲烧毁功率

PFT（AV）-正向导通平均耗散功率

PFTM-正向峰值耗散功率

PFT-正向导通总瞬时耗散功率

Pd-耗散功率

PG-门极平均功率

PGM-门极峰值功率

PC-控制极平均功率或集电极耗散功率

Pi-输入功率

PK-最大开关功率

PM-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

PMP-最大漏过脉冲功率

PMS-最大承受脉冲功率

Po-输出功率

PR-反向浪涌功率

Ptot-总耗散功率

Pomax-最大输出功率

Psc-连续输出功率

PSM-不重复浪涌功率

PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率

RF（r）-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻

RBB-双基极晶体管的基极间电阻

RE-射频电阻

RL-负载电阻

Rs(rs)-串联电阻

Rth-热阻

R(th)ja-结到环境的热阻

Rz(ru)-动态电阻

R(th)jc-结到壳的热阻

rδ-衰减电阻

r(th)-瞬态电阻

Ta-环境温度

Tc-壳温

td-延迟时间

tf-下降时间

tfr-正向恢复时间

tg-电路换向关断时间

tgt-门极控制极开通时间

Tj-结温

Tjm-最高结温

ton-开通时间

toff-关断时间

tr-上升时间

trr-反向恢复时间

ts-存储时间

tstg-温度补偿二极管的贮成温度

a-温度系数

λp-发光峰值波长

△λ-光谱半宽度

η-单结晶体管分压比或效率

VB-反向峰值击穿电压

Vc-整流输入电压

VB2B1-基极间电压

VBE10-发射极与第一基极反向电压

VEB-饱和压降

VFM-最大正向压降（正向峰值电压）

VF-正向压降（正向直流电压）

△VF-正向压降差

VDRM-断态重复峰值电压

VGT-门极触发电压

VGD-门极不触发电压

VGFM-门极正向峰值电压

VGRM-门极反向峰值电压

VF（AV）-正向平均电压

Vo-交流输入电压

VOM-最大输出平均电压

Vop-工作电压

Vn-中心电压

Vp-峰点电压

VR-反向工作电压（反向直流电压）

VRM-反向峰值电压（最高测试电压）

V（BR）-击穿电压

Vth-阀电压（门限电压）

VRRM-反向重复峰值电压（反向浪涌电压）

VRWM-反向工作峰值电压

V v-谷点电压

Vz-稳定电压

△Vz-稳压范围电压增量

Vs-通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压

av-电压温度系数

Vk-膝点电压（稳流二极管）

VL-极限电压

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